Від «рамкової» гіпотези В. Б. Алесковського до методу молекулярного шарування/осадження атомного шару †

Санкт-Петербурзький державний технологічний інститут (Технічний університет), кафедра хімічної нанотехнології та електроніки, матеріали, Московський просп., 26, Санкт-Петербург, 190013 Російська Федерація

Санкт-Петербурзький державний університет, кафедра хімії твердого тіла, 7‐9, Університетська наб., Санкт-Петербург, 199034 Російська Федерація

Анотація

Цей нарис присвячений історії створення та розвитку техніки молекулярного шарування (ML), яку в сучасному співтоваристві неросійських вчених зазвичай називають осадженням атомного шару (ALD). Обговорюються основні дослідження в галузі хімічних перетворень твердих поверхонь за допомогою методу ML у світлі гіпотези «каркасу», запропонованої В. Б. Алесковським у 1952 році. Ряд питань, порушених міжнародними вченими, включаючи тих, хто бере участь у віртуальному проекті з історії АЛД (VPHA, 2013), та вчених з конференцій у Гельсінкі (Фінляндія, травень 2014 р.), Кіото (Японія, червень 2014 р.) Та особисто звертаються до комунікацій серед однолітків. Вперше англійською мовою ця стаття містить інформацію про В. Б. Алесковського та С. І. Кольцова, які тісно пов’язані з розвитком техніки ML у Радянському Союзі. Ця стаття також інформує наукове співтовариство про наукові групи, які в даний час займаються дослідженнями ML у Росії, та представляє наукову школу "Хімія високоорганізованих речовин", засновану та керовану В. Б. Алесковським.