Інженерія інтерфейсів, що підтримуються тиском, у гібридах MoS2/Холі Графен для поліпшення продуктивності літій-іонних батарей

Відділ функціональних матеріалів, Миколаївський інститут неорганічної хімії СО РАН, 3 Акад. Пр. Лаврентьєва, 630090, Новосибірськ, Росія

Група наноматеріалів, CIC nanoGUNE Consolider, 76 Tolosa Hiribidea, Gipuzkoa, 20018 Доностия-Сан-Себастьян, Іспанія

Лабораторія вуглецевих наноматеріалів, Новосибірський державний університет, вул. Пирогова, 2, 630090, Новосибірськ, Росія

Інститут фізики твердого тіла та матеріалів, Дрезденський технологічний університет, 01062 Дрезден, Німеччина

Група наноматеріалів, CIC nanoGUNE Consolider, 76 Tolosa Hiribidea, Gipuzkoa, 20018 Доностия-Сан-Себастьян, Іспанія

Інститут фізики твердого тіла та матеріалу, Дрезденський технологічний університет, 01062 Дрезден, Німеччина

Вхід до установи

Увійдіть до Інтернет-бібліотеки Wiley

Якщо ви вже отримали доступ до свого особистого кабінету, увійдіть.

Придбайте миттєвий доступ

Перегляньте статтю PDF та будь-які пов'язані з нею доповнення та цифри протягом 48 годин.
Статтю не можна надрукувати.
Статтю завантажити не можна.
Стаття не може бути перерозподілена.

Необмежений перегляд статті у форматі PDF та будь-яких пов’язаних додатків та рисунків.
Статтю не можна надрукувати.
Статтю завантажити не можна.
Стаття не може бути перерозподілена.

Необмежений перегляд статті/глави PDF та будь-яких пов’язаних додатків та рисунків.
Статтю/розділ можна надрукувати.
Статтю/главу можна завантажити.
Статтю/розділ неможливо перерозподілити.

Анотація

Інтерфейс між MoS2 та вуглецевими компонентами відіграє важливу роль у роботі гібридного матеріалу в літій-іонних акумуляторах. Для посилення міжфазної взаємодії шари дірчаного графену (HG) використовуються як опора для утворюючого MoS2, а стиснення компонентів використовується під час синтезу. Початкові композиції, отримані осадженням MoS3 на поверхню штабелів HG, відпалюють при 400–600 ° C і 100 бар. За допомогою набору характеристичних методів вивчають продукти синтезу, і виявляється, що межі отворів кріплять MoS2 через ковалентну C – Mo муфту, тоді як прикладений тиск сприяє розвитку тонкого MoS2 покриття. Кількість шарів та їх поперечні розміри залежать від температури синтезу. Випробування літій-іонних напівклітин виявили вищі значення питомої ємності для гібридів MoS2/HG, синтезованих при стисненні. Посилена взаємодія між компонентами запобігає руйнуванню MoS2 під час розряду-зарядки електродів, а ємність збільшується за рахунок розміщення літію між шарами MoS2 і HG. Структурні особливості гібридів MoS2/HG обумовлюють зростання питомої ємності при тривалому циклі до ≈1200 мА год г −1 при щільності струму 0,5 А г −1 .

Зверніть увагу: Видавець не несе відповідальності за зміст або функціональність будь-якої допоміжної інформації, наданої авторами. Будь-які запити (крім відсутнього вмісту) слід направляти до відповідного автора статті.